三星 3nm 晶片将于第二季度开始量产

来源：IT之家

惠普电子周四宣告，将在本季度 ( 即未来几周内 ) 开始应用于 3GAE ( 以当年 3nm 级灯丝都将 ) 加工进行大规模生产。这不仅标志着业界首创 3nm 级制造关键技术，也是首个应用于环栅特罗斯季亚涅齐电晶体 ( GAAFETs ) 的终端。

" 这是世界性上首次大规模生产的 GAA 3 固态加工，将以此降低关键技术领先地位，" 惠普在一份统计数据中写道。

惠普 Foundry 的 3GAE 加工关键技术是首次应用于 GAA 电晶体 ( 惠普将其称之为 " 多桥发射极特罗斯季亚涅齐电晶体 ( MBCFET ) " ) 加工。

IT 之家知晓，惠普左右在三年当年正式推出了其 3GAE 和 3GAP 加工终端。当该该公司揭示 应用于其 3GAE 关键技术生产的 256Mb GAAFET SRAM 集成电路时，它拿出了许多资料。

惠普表示，该加工将实现 30% 的性能指标提升、50% 的功耗减低以及高近 80% 的电晶体通量（仅限于语义和 SRAM 电晶体的复合）。不过，惠普的性能指标和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。

理论上，与目当年应用于的 Finfet 相较，Gaafet 有许多优势，例如可大大减低电晶体漏电阻 ( 即，减低功耗 ) 以及挖到电晶体性能指标的潜在实力，这仅仅更高的产率、和修改的产能。此外，根据应用材料该公司最近的统计数据，GAAFETs 还可以降低 20% 至 30% 的面积。

当然，惠普的 3GAE 只是一种 " 以当年 " 的 3nm 级制造关键技术，3GAE 将主要由惠普 LSI（惠普的集成电路研发政府机构）以及也许一两个 SF 的其他 alpha 顾客应用于。如果这些产品线的粮食产量和性能指标符合预估，那么此后之后我们就可以看到新品大量千张了。